Бахтизин, Рауф Загидович

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Рауф Загидович Бахтизин
баш. Рәүеф Заһит улы Бәхтизин
Дата рождения 20 января 1943(1943-01-20) (81 год)
Место рождения
СССР
Страна Флаг СССР СССР → Флаг России Россия
Род деятельности преподаватель университета
Научная сфера физика
Место работы Башкирский государственный университет
Альма-матер
Учёная степень
доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор
Награды и премии

Рау́ф Заги́дович Бахти́зин (

1991)[1]
.

Биография

Родился 20 января 1943 года в городе Уфе БАССР РСФСР СССР. Отец — Загид Имамутдинович Бахтизин[1].

В

Ленинградский государственный университет[1]
.

С 1972 года работает в Башкирском государственном университете (ныне — ФГБОУ ВО «БГУ»), с 1980 года — заведующий кафедрой физики электроники и нанофизики[1].

Научная деятельность

Научная деятельность связана с исследованиями в областях

сканирующей туннельной микроскопии и нанофизики, разработкой материалов для электронной техники[1]
.

Развил новое научное направление —

эмиттеров, создал статистическую модель гетерогенной поверхности полупроводника[1]
.

Является автор более 260 научных трудов и 30 изобретений[1].

Награды и почётные звания

Примечания

  1. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Мазунов, В. А. Бахтизин, Рауф Загидович // Т. 1. А—Б / гл. ред. М. А. Ильгамов. — Уфа: ГАУН РБ «Науч.-изд. комплекс „Башкирская энциклопедия“», 2005. — 624 с. — (Башкирская энциклопедия). — 7 тыс. экз. — ISBN 5-88185-053-X.

Литература