Орликовский, Александр Александрович

Александр Александрович Орликовский
Александр Александрович Орликовский
Дата рождения	12 июня 1938
Место рождения	СССР
Дата смерти	1 мая 2016 (77 лет)
Страна	СССР → Россия
Род деятельности	физик
Научная сфера	микро- и наноэлектроника
Место работы	ФТИАН
Альма-матер	МИФИ
Учёная степень	доктор технических наук
Учёное звание	профессор,; академик РАН

Алекса́ндр Алекса́ндрович Орлико́вский (

Физико-технологического института РАН

(ФТИАН).

Биография

Родился в 1938 году в семье

репрессирован

.

Научная карьера

Выпускник

Московского инженерно-физического института 1961 года

.

В

1961—1963 годах

работал в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения.

В

Московского института электронного машиностроения

.

В

Московского института электронной техники

.

В

Института общей физики

(ИОФАН).

С

2016

).

Начиная с работы в МИЭТ, научная карьера и деятельность Орликовского была тесно связана с деятельностью академика К.А. Валиева. Орликовский, как и Валиев, последовательно переходил сначала в ФИАН, затем в ИОФАН и в ФТИАН. В 2005 году, когда Валиев ушёл с должности директора ФТИАН, новым директором был избран именно Орликовский.

Читал лекции на кафедре физических и технологических проблем микроэлектроники

МФТИ^[1]

.

Член-корреспондент РАН (

Отделению нанотехнологий и информационных технологий

.

Скончался 1 мая 2016 года в Москве. Похоронен на Троекуровском кладбище (участок 25а)^[2].

Основные научные результаты

Выполнены с внедрением в спецаппаратуре пионерские работы по полупроводниковым интегральным схемам памяти (концепция, схемы выборки, структуры, коллективные явления).
Разработаны плазменные процессы (травления, осаждения, имплантации и др.) в технологии кремниевой наноэлектроники; разработаны методы мониторинга плазменных процессов, созданы высокочувствительные детекторы момента окончания процессов; разработан
томограф
низкотемпературной плазмы для контроля 2В-распределений концентраций радикалов и ионов.
Разработаны оригинальные конструкции СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы; созданы автоматизированные технологические плазменные установки, предназначенные для применения как в исследовательских, так и в промышленных целях.
Разработаны новые технологии силицидизации контактов к мелкозалегающим p-n переходам; получены приоритетные результаты в исследованиях кинетики фазообразования силицидов.
Разработана физическая модель баллистических нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе» с учетом квантовых эффектов; созданы нанотранзисторы с суб-100 нм каналами.

Награды

Орден Дружбы
Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники
Премия Правительства Российской Федерации в области образования (2013 год) — (совм. с проф. ФРТК МФТИ С.Н. Гаричевым, проф. А.В. Старовойтовым, проф. Ю.В. Протасовым и др.) за научно-практическую разработку "Создание базы знаний "Электроника" на основе генерации серии тематических баз и банков данных по фундаментальным разделам физической и прикладной электроники и издание серии учебников и учебных пособий "Электроника в техническом университете"^[3]

Примечания

↑ Кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники ФФКЭ МФТИ
↑ ОРЛИКОВСКИЙ Александр Александрович (1938–2016) (неопр.). Дата обращения: 19 марта 2017. Архивировано 19 марта 2017 года.
↑ О присуждении Премий Правительства Российской федерации 2013 г. в области образования (неопр.). Дата обращения: 22 июля 2021. Архивировано 22 июля 2021 года.

Ссылки

[1] Кафедра физических и технологических проблем микроэлектроники ФФКЭ МФТИ

[2] ОРЛИКОВСКИЙ Александр Александрович (1938–2016) (неопр.). Дата обращения: 19 марта 2017. Архивировано 19 марта 2017 года.

[3] О присуждении Премий Правительства Российской федерации 2013 г. в области образования (неопр.). Дата обращения: 22 июля 2021. Архивировано 22 июля 2021 года.

[1]

[2]

[3]