Панков, Жак

Жак Исаак Панков (

Родился в

Панков был приглашённым лектором в Беркли в 1968—1969 году, приглашённым профессором в Университете Кампинас (Бразилия) в 1975 году и в Университете Миссури в 1984 году. С 1985 по 1993 год он занимал профессорскую должность (Hudson Moore Jr Endowed Chair) в Колорадском университете в Боулдере и одновременно был сотрудником Национальной лаборатории по изучению возобновляемой энергии. Позже, будучи уже почётным профессором, Панков основал компанию по использованию солнечной энергии Astralux Power Systems^[15].

Жена — психолог Этель Вассерман (род. 1927), автор научных трудов в области педагогической психологии^[16][17][18]. Сыновья — Мартин (юрист) и Саймон (инженер)^[19].

Основные научные труды Панкова посвящены физике полупроводников. Им был разработан прототип первого коммерческого транзистора, первый светодиод на арсениде галлия в ИК-диапазоне и первый инжекционный лазер на фосфиде арсенида галлия в видимом диапазоне. Он внёс значительный вклад в раннее развитие светодиодной техники, в частности в 1971 году им был получен первый синий светодиод на нитриде галлия^[20][21][22]. В 1970-е годы Панков изучил основные свойства этого семейства полупроводников, что впоследствии привело к множеству приложений и разработке ряда устройств.

С середины 1970-х годов учёный активно исследовал свойства кристаллического и аморфного кремния, в частности изучил влияние водорода на характеристики этих материалов и установил, что водород подавляет проводимость p-типа в кристаллическом кремнии. Впоследствии было показано, что аналогичный эффект затрудняет проводимость p-типа в нитриде галлия; решение этой проблемы привело к созданию Сюдзи Накамурой первого эффективного голубого светодиода.

Автор более 90 американских патентов, монографий «Study of an Electronic Morse Code Translator» (под именем Jacques Isaac Pantchechnikoff, 1948) и «Optical Processes in Semiconductors» (1971, ряд переизданий).

• Премия Эберса (J J Ebers Award, 1975)
• Премия Ранка (1998)
• Награда выдающемуся выпускнику Университета Калифорнии в Беркли (2000)

• Pankove J.I. Tunneling-Assisted Photon Emission in Gallium Arsenide pn Junctions //
  doi:10.1103/PhysRevLett.9.283
  .
• Pankove J.I. Absorption Edge of Impure Gallium Arsenide //
  doi:10.1103/PhysRev.140.A2059
  .
• Pankove J.I., Miller E.A., Richman D., Berkeyheiser J.E. Electroluminescence in GaN // Journal of Luminescence. — 1971. — Vol. 4, № 1. — P. 63—66. —
  doi:10.1016/0022-2313(71)90009-3
  .
• Pankove J.I., Miller E.A., Berkeyheiser J.E. GaN blue light-emitting diodes // Journal of Luminescence. — 1972. — Vol. 5, № 1. — P. 84—86. —
  doi:10.1016/0022-2313(72)90038-5
  .
• Pankove J.I. Luminescence in GaN // Journal of Luminescence. — 1973. — Vol. 7. — P. 114—126. —
  doi:10.1016/0022-2313(73)90062-8
  .
• Yim W.M., Stofko E.J., Zanzucchi P.J., Pankove J.I., Ettenberg M., Gilbert S.L. Epitaxially grown AlN and its optical band gap //
  doi:10.1063/1.1661876
  .
• Pankove J.I., Schade H. Photoemission from GaN //
  doi:10.1063/1.1655276
  .
• Pankove J.I., Hutchby J.A. Photoluminescence of ion‐implanted GaN // Journal of Applied Physics. — 1976. — Vol. 47, № 12. — P. 5387—5390. —
  doi:10.1063/1.322566
  .
• Pankove J.I., Lampert M.A., Tarng M.L. Hydrogenation and dehydrogenation of amorphous and crystalline silicon // Applied Physics Letters. — 1978. — Vol. 32, № 7. — P. 439—441. —
  doi:10.1063/1.90078
  .
• Pankove J.I., Carlson D.E., Berkeyheiser J.E., Wance R.O. Neutralization of Shallow Acceptor Levels in Silicon by Atomic Hydrogen // Physical Review Letters. — 1983. — Vol. 51, № 24. — P. 2224—2225. —
  doi:10.1103/PhysRevLett.51.2224
  .
• Pankove J.I., Wance R.O., Berkeyheiser J.E. Neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Applied Physics Letters. — 1984. — Vol. 45, № 10. — P. 1100—1102. —
  doi:10.1063/1.95030
  .
• Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W., Lucovsky G. Hydrogen localization near boron in silicon // Applied Physics Letters. — 1985. — Vol. 46, № 4. — P. 421—423. —
  doi:10.1063/1.95599
  .
• Qiu C.H., Pankove J.I. Deep levels and persistent photoconductivity in GaN thin films // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 70, № 15. — P. 1983—1985. —
  doi:10.1063/1.118799
  .

• doi:10.1063/PT.3.3532
  .