LPDDR

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 24 августа 2024 года; проверки требуют 7 правок.
Микросхема LPDDR2 Samsung K4P4G154EC-FGC1 на 4 Гбит

LPDDR — тип оперативной памяти для смартфонов и планшетов. Известен также под названиями mDDR, Low Power DDR.

Поддерживаются устройства со стандартом JEDEC 209[1].

LPDDR

Оригинальная LPDDR (LPDDR1) — модификация памяти DDR SDRAM c некоторыми изменениями для снижения энергопотребления.

Важнейшее изменение — снижение напряжения питания с 2,5 до 1,8

Apple iPad, Samsung Galaxy Tab и в телефоне Motorola Droid X
.

LPDDR2

Новый стандарт JEDEC JESD209-2E переработан для низкопотребляющих интерфейсов DDR. Он не совместим с DDR и DDR2 SDRAM, но может размещаться в следующих интерфейсах:

Памяти с низким энергопотреблением похожи на стандартную LPDDR, но с некоторыми изменениями в блоке перезарядки.

Тайминги
задаются для LPDDR-200 LPDDR-1066 (тактовая частота от 100 до 533 МГц).

Работая с 1,2 В, LPDDR2 мультиплексирует контроль по адресной линии 10-битной двухтактовой шины передачи данных CA. Команды аналогичны компьютерным модулям SDRAM, за исключением перераспределения предварительной зарядки, и коды операции предотвращения возгораний.

LPDDR3

В мае 2012

MT/s (миллионов передач в секунду) и использует такие новые технологии, такие, как: write-leveling, command/address training[4]
, опциональное внутрисхемное терминирование (optional on-die termination, ODT), а также имеет низкую ёмкость контактов ввода-вывода. LPDDR3 допускает как микросборки package-on-package (PoP), так и использование отдельных микросхем памяти.

Кодирование команд идентично LPDDR2, они передаются по 10-битной шине CA с удвоением частоты следования данных (double data rate)[3]. Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8n-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.

Samsung предполагал, что LPDDR3 дебютирует в 2013 году с частотами 800 МГц (1600

SO-DIMM 2011 года (12,8 ГБ/с)[5]. Массовый выпуск 3-гигабайтной LPDDR3 компанией Samsung Electronics был объявлен 24 июля 2013 года[6]
.

LPDDR3 обеспечивает скорость передачи данных 1600

MT/s
для LPDDR2).

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S4[7].

LPDDR4

Модули памяти LPDDR4 отличаются увеличенной скоростью передачи данных по сравнению с предыдущим поколением LPDDR3. Напряжение снижено с 1,2 В до 1,1 В.

Разрабатывается с марта 2012 года в JEDEC

MT/s, что на 50 % выше LPDDR3, а также на 40 % менее энергопотребляющей при напряжении 1,1 вольта[9]
.

25 августа 2014 года

JEDEC выпустила стандарт JESD209-4 (LPDDR4)[10]
.

LPDDR4 запускается со скоростью ввода-вывода 3200

MT/s
для LPDDR3.

Такой тип памяти используется, к примеру, в телефоне Samsung Galaxy S6 и плеере iPod touch (7 поколения).

LPDDR4X

В LPDDR4X напряжение питания ввода-вывода (VDDQ) снижено с 1,1 В до 0,6 В. Это снижение напряжения на 40 % приводит к гораздо меньшему потреблению энергии при отправке и получении данных с устройства памяти, что особенно полезно для смартфонов и других устройств. JEDEC опубликовал стандарт LPDDR4X 8 марта 2017 года[11].

LPDDR5

19 февраля 2019 года JEDEC опубликовал стандарт JESD209-5 (LPDDR5). Для LPDDR5 заявлена скорость передачи данных 6400

MT/s для LPDDR4 (на момент публикации в 2014 году)[12]
.

18 июля 2019 года компания

MT/s, а также о намерении начать массовое производство 12-гигабайтных (ГБ) пакетов LPDDR5 в конце месяца, каждый из которых будет объединять восемь чипов по 12 Гб[13]
.

LPDDR5X

28 июля 2021 года JEDEC опубликовал стандарт JESD209-5B, который включает как обновление стандарта LPDDR5, направленное на повышение производительности, мощности и гибкости, так и новый стандарт LPDDR5X, который является дополнительным расширением LPDDR5[14].

9 ноября 2021 года компания

MT/s и емкостью до 64-гигабайт (ГБ)[15]
.

3 марта 2022 года компания Samsung Electronics объявила о том, что её новейшая оперативная память LPDDR5X прошла проверку Qualcomm Technologies и может использоваться с платформами Snapdragon[16].

24 октября 2023 компания Micron Technology объявила о поставке памяти LPDDR5X на техпроцессе 1β (1-бета) микросхемами объёмом до 16 Гбайт со скоростью передачи данных 9600

MT/s. Заявлена оптимизация под устройства с мобильной платформой Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3[17][18]
.

18 апреля 2024 года компания Samsung Electronics объявила о разработке 12-нанометровой (нм) памяти LPDDR5X со скоростью передачи данных 10,7 ГТ/с и емкостью до 32-гигабайт (ГБ)[19][20].

17 июля 2024 года компания Samsung Electronics объявила об успешном завершении тестирования памяти LPDDR5X 10,7

SoC) MediaTek Dimensity 9400[21]
.

6 августа 2024 года компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 12-гигабайтных (ГБ) и 16-гигабайтных DRAM LPDDR5X с высотой корпуса 0,65 мм произведенной по 12 нанометровой (нм) 4-слойной структуре. Планируется разработка 6-слойных модулей емкостью 24 ГБ и 8-слойных модулей емкостью 32 ГБ в тонких корпусах LPDDR DRAM[22][23].

LPDDR5T

25 января 2023 года компания

MT/s[24][25]
.

MediaTek протестировала оперативную память LPDDR5T от SK Hynix[26][27].

LPDDR5T от SK hynix, прошла проверку совместимости с Qualcomm[28][18].

Примечания

  1. ↑ LPDDR-Texas Instruments wiki. Дата обращения: 16 июня 2012. Архивировано из оригинала 5 марта 2012 года.
  2. ↑ JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips Архивная копия от 20 мая 2012 на Wayback Machine, Solid State Technology magazine
  3. ↑ 1 2 JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association
  4. ↑ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up Архивировано 28 июля 2013 года., Denali Memory Report
  5. ↑ Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014 Архивная копия от 2 июля 2012 на Wayback Machine — Bright Side of News
  6. ↑ Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones. Дата обращения: 28 ноября 2021. Архивировано 28 ноября 2021 года.
  7. ↑ Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально — iXBT Архивировано 23 октября 2017 года.
  8. ↑ JEDEC Conference to Highlight Mobile Technology. Дата обращения: 18 сентября 2014. Архивировано 21 августа 2014 года.
  9. ↑ Samsung Develops Industry’s First 8Gb LPDDR4 Mobile DRAM. Дата обращения: 18 сентября 2014. Архивировано 1 октября 2014 года.
  10. ↑ JEDEC Releases LPDDR4 Standard for Low Power Memory Devices Архивная копия от 30 сентября 2014 на Wayback Machine, JEDEC Solid State Technology Association
  11. ↑ JEDEC Updates Standards for Low Power Memory Devices | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021. Архивировано 29 января 2021 года.
  12. ↑ JEDEC Updates Standard for Low Power Memory Devices: LPDDR5 | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 20 января 2021. Архивировано 24 января 2021 года.
  13. ↑ Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 4 ноября 2021 года.
  14. ↑ JEDEC Publishes New and Updated Standards for Low Power Memory Devices Used in 5G and AI Applications | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 10 ноября 2021 года.
  15. ↑ Samsung Develops Industry’s First LPDDR5X DRAM (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 11 ноября 2021. Архивировано 10 ноября 2021 года.
  16. ↑ Samsung's LPDDR5X DRAM Validated for Use with Qualcomm Technologies’ Snapdragon Mobile Platforms (англ.). Samsung Semiconductor Global. Дата обращения: 28 октября 2022.
  17. ↑ Micron Collaborates with Qualcomm to Accelerate Generative AI at the Edge for Flagship Smartphones (англ.). micron.com (24 октября 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  18. ↑ 1 2 Для смартфонов на Snapdragon 8 Gen 3 компании Micron и SK hynix выпустили чипы LPDDR5-9600. 3DNews - Daily Digital Digest. Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано из оригинала 26 октября 2023 года.
  19. ↑ Samsung разработала самую быструю память LPDDR5X — 10,7 Гбит/с. 3DNews - Daily Digital Digest. Дата обращения: 24 августа 2024. Архивировано 24 августа 2024 года.
  20. ↑ Samsung разрабатывает самую быструю в отрасли память для приложений на базе ИИ. news.samsung.com. Дата обращения: 24 августа 2024. Архивировано 24 августа 2024 года.
  21. ↑ Samsung завершила тестирование самой быстрой в отрасли памяти LPDDR5X для использования с флагманским чипом MediaTek. news.samsung.com. Дата обращения: 24 августа 2024. Архивировано 24 августа 2024 года.
  22. ↑ Samsung Electronics запускает массовое производство самых тонких в отрасли LPDDR5X DRAM для работы ИИ на устройствах. news.samsung.com. Дата обращения: 24 августа 2024.
  23. ↑ Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry’s Thinnest LPDDR5X DRAM Packages for On-Device AI (англ.). samsung.com (6 августа 2024).
  24. ↑ T — значит Turbo. Представлена самая быстрая в мире мобильная память DRAM LPDDR5T. iXBT.com. Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  25. ↑ user. SK hynix Develops World’s Fastest Mobile DRAM LPDDR5T (амер. англ.) (24 января 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 26 октября 2023 года.
  26. ↑ Антон Курилов. MediaTek протестировала оперативную память LPDDR5T от SK Hynix — она на 13% быстрее LPDDR5X. rozetked.me (13 августа 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  27. ↑ user. LPDDR5T's Operating Speed Verified By MediaTek's Mobile APs (амер. англ.) (10 августа 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
  28. ↑ user. LPDDR5T Completes Compatibility Validation With Qualcomm (амер. англ.) (25 октября 2023). Дата обращения: 27 октября 2023. Архивировано 27 октября 2023 года.
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=LPDDR&oldid=142292077