Арсенид индия
Арсенид индия | |
---|---|
![]() | |
Общие | |
Хим. формула | InAs |
Физические свойства | |
Молярная масса | 189,74 г/моль |
Плотность | 5,68 г/см³ |
Термические свойства | |
Температура | |
• плавления | 942 °C |
Структура | |
Кристаллическая структура |
кубическая, структура сфалерита a = 0,60584 нм |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 1303-11-3 |
PubChem | 91500 |
Рег. номер EINECS |
215-115-3 |
SMILES | |
InChI | |
ChemSpider | 82621 |
Безопасность | |
NFPA 704 | |
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
![]() |
Арсени́д и́ндия, — бинарное
. Химическая формула соединения InAs.Кристаллизуется в структуре типа сфалерита.
Является прямозонным
ширину запрещённой зоны около 0,35 эВ
.
Применяется для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов, а также светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области электромагнитного излучения, датчиков Холла магнитного поля, для организации ансамблей квантовых точек в некоторых полупроводниковых приборах.
Ввиду низкой ширины запрещённой зоны большинство полупроводниковых приборов, изготовленных из этого материала, работают только при криогенных или очень низких температурах.
![]() | В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |