Фосфид индия
| Фосфид индия | |
|---|---|
 | |
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | InP |
| Физические свойства | |
| Молярная масса | 145.79 г/моль |
| Плотность | 4.81 г/см³ |
| Термические свойства | |
| Температура | |
| • плавления | 1062 °C |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 22398-80-7 |
| PubChem | 31170 |
Рег. номер EINECS |
244-959-5 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChEBI | 82281 |
| ChemSpider | 28914 и 22199222 |
| Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное. | |
 Медиафайлы на Викискладе | |
Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твёрдые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов.
По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
Ссылки
- ИНДИЯ ФОСФИД в «Большой энциклопедии Кирилла и Мефодия»
- http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/InP/index.html
 | Это заготовка статьи по химии. Помогите Википедии, дополнив её. |
 | В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску). |