Фоторезистор
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 23 мая 2023 года; проверки требуют 4 правки.
Фоторези́стор —
проводимостью независимо от направления протекания тока - его ВАХ
симметрична.
Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом[1].
Материалы, конструкция
Для изготовления фоторезисторов используют
PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур с помощью термоэлектрического охладителя, компактного сосуда Дьюара с жидким азотом или же с помощью дросселирования азота. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами
и помещают в защитный корпус.
Параметры
Важнейшие параметры фоторезисторов:
- интегральная чувствительность — отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения (при номинальном значении напряжения питания);
- порог чувствительности — величина минимального потока излучения, регистрируемого фоторезистором, отнесённая к единице полосы рабочих частот.
Применение
Фоторезисторы используют для регистрации слабых потоков света, при сортировке и счёте готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей; в полиграфической промышленности для обнаружения обрывов бумажной ленты, контроля количества листов бумаги, подаваемых в печатную машину; в медицине, сельском хозяйстве и других областях.
Примечания
- ↑ Киреев, 1975, с. 537—546.
Ссылки
- Фоторезистор — статья из Большой советской энциклопедии.
- Подключение фоторезистора к Arduino
- Фоторезистор и Arduino: подключение и пример скетча
Литература
- Киреев П. С. Физика полупроводников. — М.: Высшая школа, 1975. — 584 с. — 30 000 экз.