Фоторезистор

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Внешний вид фоторезистора
Условное обозначение фоторезистора на электрических принципиальных схемах

Фоторези́стор —

проводимостью независимо от направления протекания тока - его ВАХ
симметрична.

Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом[1].

Материалы, конструкция

Для изготовления фоторезисторов используют

PbS, PbSe, PbTe, InSb, InAs, HgCdTe, часто охлаждаемые до низких температур с помощью термоэлектрического охладителя, компактного сосуда Дьюара с жидким азотом или же с помощью дросселирования азота. Полупроводник наносят в виде тонкого слоя на стеклянную или кварцевую подложку или вырезают в виде тонкой пластинки из монокристалла. Слой или пластинку полупроводника снабжают двумя электродами
и помещают в защитный корпус.

Параметры

Пример зависимости сопротивления фоторезистора от освещённости

Важнейшие параметры фоторезисторов:

  • интегральная чувствительность — отношение изменения напряжения на единицу мощности падающего излучения (при номинальном значении напряжения питания);
  • порог чувствительности — величина минимального потока излучения, регистрируемого фоторезистором, отнесённая к единице полосы рабочих частот.

Применение

Фоторезисторы используют для регистрации слабых потоков света, при сортировке и счёте готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей; в полиграфической промышленности для обнаружения обрывов бумажной ленты, контроля количества листов бумаги, подаваемых в печатную машину; в медицине, сельском хозяйстве и других областях.

Примечания

  1. Киреев, 1975, с. 537—546.

Ссылки

Литература

  • Киреев П. С. Физика полупроводников. — М.: Высшая школа, 1975. — 584 с. — 30 000 экз.