Категория:Физика полупроводников

• Глоссарий физики полупроводников

А

• А-центр
• Абсолютная отрицательная проводимость
• Акцептор (физика)
• Аморфный полупроводник

Б

• Барьер Шоттки
• Буферный слой

В

• Валентная зона
• Валитроника
• Вольт-фарадная характеристика
• Вырожденный полупроводник

Г

• Гетеропереход
• Гетероструктура
• Гомопереход
• Горячие носители заряда

Д

• Двумерный электронный газ
• Дельта-легирование
• Дифференциальная проводимость
• Диффузионная длина
• Диффузия носителей заряда
• Дно зоны проводимости
• Долина (физика полупроводников)
• Донор (физика)
• Дроплетон
• Дырка

З

• Зона проводимости
• Зонная диаграмма
• Зонная теория

И

• Инверсный слой
• Инжекция
• Инжекция горячих носителей

К

• Квазиуровень Ферми
• Квантовая яма
• Компенсированный полупроводник

Л

• Лавинный пробой

М

• МДП-конденсатор
• Метод kp
• Модель Форухи — Блумер
• Модель Шокли — Рида — Холла
• МОП-транзистор

Н

• Наноэлектроника
• Невырожденный полупроводник
• Неравновесные носители заряда
• Носители заряда

О

• Обратный затвор (электроника)
• Оже-рекомбинация
• Омический контакт
• Опыт Хейнса — Шокли

П

• Параметры Латтинжера
• Полупроводник n-типа
• Полупроводник p-типа
• Полупроводниковые материалы
• Полупроводниковые приборы
• Потолок валентной зоны
• Премия Ника Холоньяка
• Примесная проводимость полупроводников
• Принцип транслинейности

Р

• Работа выхода
• Рекомбинация (физика полупроводников)

С

• Сверхрешётка
• Сильное легирование
• Слой обеднения
• Слой обогащения
• Собственный полупроводник
• Спейсер (физика)
• Суперинжекция

Т

• Тепловой пробой
• Термогенерация

У

• Ударная ионизация
• Уравнение Дирака для графена

Ф

• Ферми-импульс
• Физика полупроводников
• Фотопластический эффект
• Фотопроводимость

Ц

• Циклотронный резонанс

Э

• Экситон
• Электронно-дырочная жидкость
• Энергия сродства к электрону
• Эффект Ганна
• Эффект Дрессельхауза
• Эффект Зенера
• Эффект поля
• Эффект Рашбы
• Эффект Рашбы — Эдельштейна
• Эффект Франца — Келдыша

N

• N-МОП

P

• P-n-переход