Полупроводник n-типа
Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от версии, проверенной 29 сентября 2021 года; проверки требуют 3 правки.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/0/00/N-doped_Si.svg/220px-N-doped_Si.svg.png)
Полупроводни́к n-ти́па — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости
Для того чтобы получить полупроводник n-типа,
донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток
.
Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины
запрещенной зоны
полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.
Обычно легирование проводится до уровня 1013−1019 доноров в см3. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.
См. также
Литература
- Горелик С. С., Дашевский В. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. — М.: МИСИС, 2003. — 480 с. — ISBN 5-87623-018-7.